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26. - 27. Oktober 2021
Virtuelle Veranstaltung

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Unsere Referent:innen

 Alejandro Esquivel, Cree/Wolfspeed

Alejandro Esquivel
Technical Sales Manager Power EMEA
Cree/Wolfspeed

Dienstag, 26. Oktober 2021 Best Practices with SiC-MOSFETs

Dr. Jenny Feng, Nexperia

Dr. Jenny Feng

Nexperia

Mittwoch, 27. Oktober 2021 EMC and power semiconductors: the link between simulation, practical measurement and emissions behaviour

Dr. Peter Friedrichs, Infineon Technologies

Dr. Peter Friedrichs
Vice President SiC
Infineon Technologies

Dienstag, 26. Oktober 2021 Keynote: Future Application Trends of SiC – No longer limited to Solar and Automotive

 Andreas Giessmann, SEMIKRON

Andreas Giessmann
Applikationsingenieur
SEMIKRON

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Comparison of 3-Level Topologies NPC and ANPC under the Aspect of Low Voltage Ride Through, SiC and Energy Storage Capability

 Frank Heidemann, SET

Frank Heidemann
CEO
SET

Dienstag, 26. Oktober 2021 SiC Testing – dynamische Anforderungen an statische Tests

 Lisa Holzmann, Infineon Technologies

Lisa Holzmann
Application Engineering
Infineon Technologies

Dienstag, 26. Oktober 2021 A study on Top Side Cooled Package Solutions for High Power Applications

 Sumit Jadav, GeneSiC Semiconductor

Sumit Jadav
Applications Engineer
GeneSiC Semiconductor

Dienstag, 26. Oktober 2021 A Hitchhiker’s Guide to SiC Power MOSFET Performance, Reliability and Cost Trade-offs

Dr. Marija Jankovic, Rohm Semiconductor

Dr. Marija Jankovic

Rohm Semiconductor

Dienstag, 26. Oktober 2021 Schnelles und effizientes Laden von Elektroautos

 Severin Kampl, Infineon Technologies Austria

Severin Kampl
Senior Staff Engineer
Infineon Technologies Austria

Dienstag, 26. Oktober 2021 A study on Top Side Cooled Package Solutions for High Power Applications

 Marcus Lippert, StarPower Europe

Marcus Lippert
Business Development Manager
StarPower Europe

Dienstag, 26. Oktober 2021 Gehäusetechnologien und Trends für die nächste Generation von Automotive-Antriebsumrichtern

 Ales Loidl, STMicroelectronics

Ales Loidl
Power & Energy Application Lab Manager
STMicroelectronics

Dienstag, 26. Oktober 2021 Running with SiC from Discretes to Modules – Performance Evolution of the same SiC-die using 3-pin, 4-pin, molded Modules and Power Modules

 Gregg Lowe, Cree/Wolfspeed

Gregg Lowe
CEO
Cree/Wolfspeed

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Abschluss-Keynote: Silicon Carbide: A revolutionary solution for the power electronics market to reach greener CO2 emission targets

Dr. Thomas Neyer, onsemi

Dr. Thomas Neyer
Head of SiC Development
onsemi

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Keynote: How to keep up with SiC demand – ONSEMI’s approach

 Marco Palma, Efficient Power Conversion (EPC)

Marco Palma

Efficient Power Conversion (EPC)

Mittwoch, 27. Oktober 2021 GaN Devices for Motor Drives Applications

 Christian Radici, Nexperia

Christian Radici

Nexperia

Dienstag, 26. Oktober 2021 Intensivseminar: Guidelines for paralleling power MOSFETs in high current applications

Dr. Richard Reiner, Fraunhofer IAF

Dr. Richard Reiner

Fraunhofer IAF

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Trends und Perspektiven der GaN-Leistungselektronik

 Bruce Renouard, Pre-Switch

Bruce Renouard
CEO
Pre-Switch

Dienstag, 26. Oktober 2021 AI transistor control to reduce switching losses offers other system benefits for free

 Bernd Riemann, Alpha and Omega Semiconductor

Bernd Riemann
Senior Field Application Engineer
Alpha and Omega Semiconductor

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Modellierung von MOSFETs in LTspice und die Stolperfallen, die sich aus unzureichender Modellierung ergeben

 Bernd Schmölzer, Infineon Technologies Austria

Bernd Schmölzer
Application Engineering
Infineon Technologies Austria

Dienstag, 26. Oktober 2021 A study on Top Side Cooled Package Solutions for High Power Applications

Dr. Martin Schulz, Littelfuse

Dr. Martin Schulz
Global Principal
Littelfuse

Mittwoch, 27. Oktober 2021 RBSOA und SCSOA - und der tödliche Graubereich dazwischen

 Andy Smith, Power Integrations

Andy Smith

Power Integrations

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Could your application benefit from GaN?

Dr. Ester Spitale, STMicroelectronics

Dr. Ester Spitale
Technical Marketing Manager
STMicroelectronics

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Performance Breakthrough by using GaN Transistors for Power Converters in a Real Application Environment

 Andreas Urschitz, Infineon Technologies

Andreas Urschitz
Division President PSS
Infineon Technologies

Dienstag, 26. Oktober 2021 Keynote: More than Moore – GaN shaping energy efficiency

 Toni Versluijs, Nexperia

Toni Versluijs
GM des Geschäftsbereichs MOSFETs und GaN FETs
Nexperia

Mittwoch, 27. Oktober 2021 Keynote: GaN – Addressing the Challenges of a Booming Power Market

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