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Ein Event von

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19. - 20. November 2019
Hyperion Hotel München

Anwenderforum Leistungshalbleiter

Keynote-Speaker

 Christian André, ROHM Semiconductor

Christian André
CEO
ROHM Semiconductor

Dienstag, 19. November 2019 Keynote: SiC: From Niche to Mass Production

 Balu Balakrishnan, Power Integrations

Balu Balakrishnan
CEO
Power Integrations

Dienstag, 19. November 2019 Keynote: The Power of Integration

 Bruce T. Renouard, Pre-Switch

Bruce T. Renouard
CEO
Pre-Switch

Mittwoch, 20. November 2019 Keynote: SiC Performance at the Price of Silicon

 Peter Sontheimer, SEMIKRON

Peter Sontheimer
Chief Sales Officer
SEMIKRON

Mittwoch, 20. November 2019 Keynote: Challenges in power electronics packaging and ways to tackle them

Keynote I 19. November 2019

Christian André I ROHM Semiconductor

Keynote I 20. November 2019

Bruce T. Renouard I CEO Pre-Switch

Alle Referenten

in alphabetischer Reihenfolge

  • Dr. Mario Ackers
    Toshiba Electronics Europe
    : Höherer Wirkungsgrad und Leistungsdichte mit Advanced Synchronous Reverse Blocking (A-SRB)
  • Muzaffer Albayrak
    Mitsubishi Electric Europe
    : Technologies and Benefits of the DIPIPM Family
  • Christian André
    ROHM Semiconductor
    : Keynote: SiC: From Niche to Mass Production
  • Mehrdad Baghaie Yazdi
    ON Semiconductor
    : 1200 V - 20 mOhm SiC MOSFET, Zuverlässigkeit und Performance für den Massenmarkt
  • Balu Balakrishnan
    Power Integrations
    : Keynote: The Power of Integration
  • Olaf Bendix
    Infineon Technologies
    : Einführung in den Schutz von SIC-MOSFETs
  • Francesco Di Domenico
    Infineon Technologies
    : All Roads Lead to Rome: SiC, GaN and Si Technologies in Switch Mode Power Supplies
  • Achim Endruschat
    Fraunhofer IISB
    : Verifiziertes dynamisches Simulationsmodell für GaN-HEMT-Bauelemente
  • Dr. Christian Felgemacher
    ROHM Semiconductor
    : 3,6-kW-Totem-Pole-PFC mit SiC-MOSFETs zur Anwendung in Automotive On-Board-Chargern
  • Tobias Fuhr
    Finepower
    : Intensivseminar: Aktuelle und zukünftige Ladegeräte-Topologien für Industrie und Elektromobilität
  • Holger Gerstner
    Fraunhofer IISB
    : Verifiziertes dynamisches Simulationsmodell für GaN-HEMT-Bauelemente
  • Philipp Jabs
    Mitsubishi Electric Europe
    : Technologies and Benefits of the DIPIPM Family
  • Avinash Kashyap
    Microchip
    : Enabling the EV revolution through Silicon Carbide Power Semiconductors
  • Simon Kleefeldt
    Mektec Europe
    : Enrich the Connection to SiC
  • Edwin Kluter
    Future Electronics
    : Application of GaN Devices with GaNdalf
  • Holger Krumme
    HTV
    : Strukturelle Integrität von Leiterplatten und Verbindungstechniken für die Leistungselektronik
  • Eric Moreau
    Exagan
    : Boosting Performance of a New Generation of Power Converters with GaN ICs
  • Simon Muff
    Keysight
    : Analysis of PCB parasitic effects in a Vienna Rectifier for an EV battery charger by means of Electromagnetic Simulations
  • Bruce T. Renouard
    Pre-Switch
    : Keynote: SiC Performance at the Price of Silicon
  • Dr. Christian Römelsberger
    CADFEM
    : Intensivseminar: Bestimmung und Auswirkung parasitärer Effekte von Wechselrichter-Aufbauten
  • Dr. Martin Schulz
    Infineon Technologies
    : Chip-Temperatur - Licht ins Dunkel bringen
  • Peter Sontheimer
    SEMIKRON
    : Keynote: Challenges in power electronics packaging and ways to tackle them
  • Markus Stöger
    RECOM Engineering
    : Barrier Insulation Evaluation and Research (BIER)

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Datacenter, Safety&Security, electronic Displays, Blockchain, IoT, Bordnetz, KI, Smart Building, Digital Workplace, TSN, Wireless-Technologien, Verkabelung und vieles mehr.

Übersicht aller aktuellen Veranstaltungen