Leistungshalbleiter sind Schlüsselkomponenten in jeder Art von Netzteilen, DC-DC-Wandlern oder Wechselrichtern. Doch der Markt für MOSFETs, IGBTs und Power-Module ist extrem heterogen. Es gibt eine Vielzahl von Herstellern, die solche Bauelemente in einer schier unüberschaubaren Vielfalt anbieten. Hinzu kommen die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Neben den diskreten Komponenten kommen noch integrierte Bauteile wie Power-Module oder Power-SiPs (System in Package). Wie soll sich der Leistungselektronik-Entwickler in diesem Dschungel zurechtfinden und den für seine Anwendung am besten geeigneten Leistungshalbleiter und die dafür passende Topologie identifizieren? Was sind die Vor- und Nachteile der verschiedenen Lösungen mit den verschiedenen Leistungshalbleitern?

Eine weitere große Herausforderung ist derzeit, dass die Lieferzeiten und Bauteilepreise dramatisch gestiegen sind. Was können technische Einkäufer und Entwickler tun, um mit dieser Situation umzugehen?

Das Anwenderforum Leistungshalbleiter, das Markt&Technik und Design & Elektronik vom 09. und 10. November 2021 veranstalten, soll Entwicklern und technischen Einkäufern im Bereich Leistungselektronik Orientierung geben. Die Konferenz vermittelt wichtige Grundlagen und Anwendungshinweise zu MOSFET & Co. Reicht ein Superjunction-MOSFET für die angestrebte Anwendung aus, oder ist es sinnvoller, auf GaN- oder SiC-Transistoren umzusteigen? Wird der ausgewählte Treiber-IC auch mit anderen Leistungshalbleiter-Technologien arbeiten? Welche Abweichungen von den Angaben im Datenblatt sind zu erwarten? Welche Faktoren sind für eine qualifizierte Vorauswahl entscheidend und welche weiteren Fragen an die Hersteller erleichtern die Entscheidungsfindung und Beschaffung?

Bis zum 17. Juni 2022  haben Sie die Möglichkeit, das Programm inhaltlich mitzugestalten und Ihren Beitrag über unser Online-Tool einzureichen.

Folgende Themen seien als Anregung genannt:

• Arten von Leistungshalbleitern (Silizium-MOSFET und -IGBT, sowie SiC- und GaN-Transistoren)
• Vor- und Nachteile der einzelnen Arten
• Ausfallmechanismen, Robustheit, Zuverlässigkeit und Alterung
• Aufbau- und Verbindungstechnik für diskrete Leistungshalbleiter und Power-Module
• Gehäusebauformen mit ihren jeweiligen Vor- und Nachteilen
• Montage und Anschlusstechnik
• Thermisches Management (innerhalb und außerhalb des Gehäuses)
• Beschaltung (z. B. Treiber und Absicherung)
• Elektromagnetische Verträglichkeit
• Wandler- und Umrichter-Topologien sowie deren jeweilige Vor- und Nachteile
• Anwendungsbeispiele (Elektromobilität, erneuerbare Energien, Traktion, weiße/braune Ware etc.)
• Wechselwirkung mit anderen Komponenten (z. B. passive Bauelemente, Zwischenkreiskondensatoren, Stromschienen etc.)
• Kostenanalyse
• Normen

Bitte reichen Sie ausschließlich technisch tiefgehende Vorträge ein; produkt- und werbelastige Einreichungen können nicht berücksichtigt werden.

Beteiligen Sie sich am Anwenderforum Leistungshalbleiter 2022 und reichen Sie über unser Online-Tool  bis zum 17. Juni 2022 eine Kurzfassung Ihres Vortrags ein!

Bitte halten Sie folgende Informationen zur Einreichung bereit:
- Kontaktdaten und Vita des Referenten
- Titel und Abstract (max. 2000 Zeichen Fließtext)
- Länge der Präsentation (Vortrag 30 min)
- Schlagwörter und Zielgruppe

Wichtige Termine:
17. Juni 2022: Deadline für Abstracteinreichungen
Juli 2022: Benachrichtgung der Referenten
21. Oktober 2022: Einreichung Final Paper/Präsentationen

Wir freuen uns auf Ihre interessanten Beiträge!