Leistungshalbleiter sind Schlüsselkomponenten in jeder Art von Netzteilen, DC-DC-Wandlern oder Wechselrichtern. Doch der Markt für MOSFETs, IGBTs und Power-Module ist extrem heterogen. Es gibt eine Vielzahl von Herstellern, die solche Bauelemente in einer schier unüberschaubaren Vielfalt anbieten. Hinzu kommen die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Neben den diskreten Komponenten kommen noch integrierte Bauteile wie Power-Module oder Power-SiPs (System in Package). Wie soll sich der Leistungselektronik-Entwickler in diesem Dschungel zurechtfinden und den für seine Anwendung am besten geeigneten Leistungshalbleiter und die dafür passende Topologie identifizieren? Was sind die Vor- und Nachteile der verschiedenen Lösungen mit den verschiedenen Leistungshalbleitern?
Eine weitere große Herausforderung ist derzeit, dass die Lieferzeiten und Bauteilepreise dramatisch gestiegen sind. Was können technische Einkäufer und Entwickler tun, um mit dieser Situation umzugehen?
Bis zum 3. Juli 2023 haben Sie die Möglichkeit, das Programm inhaltlich mitzugestalten und Ihren Beitrag über unser Online-Portal einzureichen.
Folgende Themen seien als Anregung genannt:
Bitte reichen Sie ausschließlich technisch tiefgehende Vorträge ein; produkt- und werbelastige Einreichungen können nicht berücksichtigt werden.
Bitte halten Sie folgende Informationen zur Einreichung bereit:
- Kontaktdaten und Vita des Referenten
- Titel und Abstract (max. 2000 Zeichen Fließtext)
- Länge der Präsentation (Vortrag 30 min)
- Schlagwörter und Zielgruppe
Wichtige Termine:
03. Juli 2023: Deadline für Abstract-Einreichungen
August 2023: Benachrichtigung der Referenten
08. November 2023: Einreichung Final Paper/Präsentationen
Wir freuen uns auf Ihre interessanten Beiträge!